半导性聚合物之场效电晶体

摘要

场效电晶体包括五个元件。第一元件系为绝缘层，绝缘层是一种电绝缘体，例如氧化矽，绝缘层具有第一侧及第二侧。第二元件系为闸，闸系为导电体，例如银，闸相邻于绝缘层的第一侧。第三元件系为半导体层，半导体层包括聚合物-至少10重量%选自位置9被取代之茀单元及位置9，9-被取代之茀单元的聚合物单体单元-，半导体层具有第一侧，第二侧，第一终端及第二终端，半导体层的第二侧相邻于绝缘层的第二侧。第四元件系为源极，源极系为一种导电体，例如银，源极与半导体层第一终端电连接。第五元件系为汲极，汲极系为导电体，例如银，汲极系与半导体层的第二终端电连接。施加于闸的负电偏压系造成半导体层内形成从源极到汲极的孔连通道。另一方面，对闸施加正偏压则造成半导体层内形成电子连通道。

主权项

1.一种场效电晶体,其包括:(a)一绝缘层,该绝缘层为一电绝缘体,该绝缘层具有一第一侧及一第二侧;(b)一闸极,该闸极系为一导电体,该闸极相邻于该绝缘层的第一侧;(c)一半导体层,该半导体层包括一共聚合物,该共聚合物为由至少一以茀为主之单体以及至少一其他共轭单体所构成,该其他单体不为茀,该共聚合物单体单元之至少10重量%系选自一位置9-被取代之茀单元以及一位置9,9-被取代之茀单元所构成之组群,该半导体层具有第一侧、第二侧、第一终端及第二终端,该半导体层的第二侧相邻于绝缘层的第二侧;(d)一源极,该源极系为一导电体,该源极与该半导体层之第一终端电接触;以及(e)一汲极,该汲极系为一导电体,该汲极系与该半导体层之第二终端电接触。2.如申请专利范围第1项之场效电晶体,其中该共聚物单体单元之至少20重量百分比为选自一位置9-被取代之茀单元以及一位置9,9-被取代之茀单元所构成之组群。3.如申请专利范围第1项之场效电晶体,其中该共聚物单体单元之至少30重量百分比为选自一位置9-被取代之茀单元以及一位置9,9-被取代之茀单元所构成之组群。4.如申请专利范围第1项之场效电晶体,其中该半导体层为直接与该绝缘层接触且其中该闸极为直接与该绝缘层接触。5.如申请专利范围第1项之场效电晶体,其中该其他共轭单体为选自芳胺、二苯乙烯、二苯乙炔、C6-C20单核或聚核芳烃、以及C2-C10单核或聚核杂环所构成之组群。6.如申请专利范围第1项之场效电晶体,其中该其他共轭单体为吩。7.如申请专利范围第1项之场效电晶体,其中该其他单体为选自以及其中R3为独立各自发生之羧基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、或一化学式为-CO2R4之基团,其中R4为一C1-C20烷基;以及b为独立各自发生的自0至3之整数。8.如申请专利范围第1.2.3.4.5.6.7项中任一项之场效电晶体,其中该共聚物为一交错共聚物。9.如申请专利范围第8项之场效电晶体,其中该共聚物为直线排列。10.如申请专利范围第1.2.3.4.5.6.7项中任一项之场效电晶体,其中该共聚物具有一至少为110-4平方公分/伏特-秒之载体移动性。图式简单说明:第一图系为本发明之一具体实施例的剖面视图。