主权项 |
1.一种晶片之静电保护结构,包括:一导电片,设于该晶片上方;一闲置接脚,与该导电片电性耦接;以及一接地接脚,与该导电片电性耦接。2.如申请专利范围第1项所述之结构,更包括:一电源接脚,与该导电片电性耦接。3.如申请专利范围第1或2项所述之结构,其中该导电片系金属材质。4.一种晶片之静电保护结构,包括:一导电片,位于该晶片之表面;一闲置接脚,与该导电片电性耦接;以及一电源接脚,与该导电片电性耦接。5.如申请专利范围第4项所述之结构,更包括:一接地接脚,与该导电片电性耦接。6.如申请专利范围第4或5项所述之结构,其中该导电片系金属材质。7.一种晶片之静电保护结构,包括:一导电片,位于该晶片之表面;一闲置接脚,与该导电片电性耦接;以及一功能性接脚,与该导电片电性耦接。8.如申请专利范围第7项所述之结构,其中该功能性接脚系接地接脚。9.如申请专利范围第8项所述之结构,其中该功能性接脚系电源接脚。10.如申请专利范围第7至9项所述之结构,其中该导电片系金属材质。图式简单说明:第一图绘示一种习知上晶片接脚之配置图;以及第二图A至第二图C绘示依照本发明之一较佳实施例,所提供的一种晶片之静电保护结构示意图。 |