| 主权项 |
1.一种动态随机存取记忆体的制造方法,适用于一基底,该基底上已形成有复数条字元线与位于每一该些字元线两侧的复数个源极/汲极区,该方法包括下列步骤:于该基底上形成与该些源极/汲极区电性接触之复数个位元线接触窗与复数个节点接触窗;形成图案化之一第一绝缘层于该基底上,该第一绝缘层中形成有复数个开口以暴露出该些位元线接触窗;依序覆盖一第一导体层与一第二绝缘层于该基底上而使该第一导体层与该些位元线接触窗电性接触;依序图案化该第二绝缘层、该第一导体层与该第一绝缘层,以形成复数个位元线堆叠结构及连接该些位元线接触窗的复数个位元线,并使该些节点接触窗暴露出来,其中该些位元线堆叠结构系夹成复数个沟渠,且该些位元线堆叠结构之走向与该些字元线垂直;形成复数个间隙壁于该些位元线堆叠结构之侧壁;形成共形之复数个第二导体层于该些间隙壁间之该些沟渠的表面;以及图案化该些第二导体层,以形成与该些节点接触窗连接之复数个电容器下电极。2.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该第一导体层系由一多晶矽与该多晶矽层上方之一金属矽化物层所构成。3.如申请专利范围第2项所述之制造方法,该方法系藉由调整该金属矽化物层之厚度的方式来调整该些位元线堆叠结构间之该些沟渠的深度,并藉此调整该些位元线之电阻。4.如申请专利范围第2项所述之制造方法,该方法系藉由调整该金属矽化物层之厚度的方式来调整该些位元线堆叠结构间之该些沟渠的深度,并藉此调整该些电容器下电极的表面积。5.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该些位元线接触窗与该些节点接触窗之形成方法包括下列步骤:覆盖一绝缘层于该基底上;进行一自行对准接触窗制程,以形成复数个位元线接触窗开口与复数个节点接触窗开口于该绝缘层中,而暴露出该些源极/汲极区;以及以一第一导体材料填满该些自行对准位元线接触窗开口与该些自行对准节点接触窗开口。6.如申请专利范围第5项所述之制造方法,其中该绝缘层之材质包括氧化矽。7.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中形成该些第二导体层于该些沟渠之表面的方法包括下列步骤:形成共形之一第二导体材料于该基底上;填入复数个光阻层于该些沟渠中;以回蚀法或化学机械研磨法除去位于该些沟渠以外之该第二导体材料;以及去除该些光阻层。8.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中每一该些第二导体层系选自由一非晶矽层,以及一具有半球形矽晶粒之多晶矽层所组成之族群中的一个。9.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中每一该些第二导体层皆为一非晶矽层,且该方法中更包括形成复数个半球形矽晶粒于非晶矽材质之该电容器下电极上的步骤。10.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该第一绝缘层之材质包括氧化矽。11.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该第二绝缘层之材质包括氧化矽。12.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该些间隙壁之材质包括氮化矽。13.一种动态随机存取记忆体的结构,适用于一基底上,包括:复数条字元线,其系位于该基底上;复数个源极/汲极区,其系位于每一该些字元线两侧之该基底中:一第一绝缘层,其系位于该些字元线、该些源极/汲极区与该基底上;复数个位元线接触窗与复数个节点接触窗,该些位元线接触窗与该些节点接触窗系位于该第一绝缘层中,且与该些源极/汲极区电性接触;复数个位元线堆叠结构,其系位于该些位元线接触窗与该第一绝缘层上,该些位元线堆叠结构之走向与该些字元线垂直,且每一该些位元线堆叠结构皆系由从下而上堆叠之一第二绝缘层、一位元线与一第三绝缘层所构成,其中该些位元线系穿过该第二绝缘层而与该些位元线接触窗电性连接;复数个间隙壁,且系位于该些位元线堆叠结构之侧壁,且该些间隙壁夹成复数个沟渠;以及复数个电容器下电极,其系位于该些间隙壁间之该些沟渠的表面,且每一该些电容器下电极皆与该些节点接触窗之一电性连接。14.如申请专利范围第13项所述之结构,其中该第一导体层系由一多晶矽层与该多晶矽层上方之一金属矽化物层所构成。15.如申请专利范围第13项所述之结构,其中该些电容器下电极之材质为多晶矽,且每一该些电容器下电极层之表面上皆具有复数用半球形矽晶粒。16.如申请专利范围第13项所述之结构,其中该些电容器下电极之材质为非晶矽,且每一该些电容器下电极层之表面上皆具有复数个半球形矽晶粒。17.如申请专利范围第13项所述之结构,其中该第一绝缘层之材质包括氧化矽。18.如申请专利范围第13项所述之结构,其中该第二绝缘层之材质包括氧化矽。19.如申请专利范围第13项所述之结构,其中该第三绝缘层之材质包括氧化矽。20.如申请专利范围第13项所述之结构,其中该些间隙壁之材质包括氮化矽。图式简单说明:第一图、第二图、第三图、第四图、第五图、第六图、第七图与第八图所绘示为本发明较佳实施例之动态随机存取记忆体的制造流程剖面图,其中第一图、第二图、第三图及第七图所对应之剖面与第四图、第五图、第六图及第八图所对应之剖面相垂直;第一图A、第二图A、第四图A、第六图A及第七A图分别为第一图、第二图、第四图、第六图及第七图的上视图,而沿第一图A(第二图A、第四图A、第六图A或第七图A)中直线I-I'(II-II'、III-III'、IV-IV'或V-V')切割第一图A(第二图A、第四图A、第六图A或第七图A)所得之剖面图为第一图(第二图、第四图、第六图或第七图);以及第七图B绘示为本发明之较佳实施例中,定义电容器下电极时所使用之光罩的图案形状。 |
