| 主权项 |
1.一种在基材上生产陶瓷层的方法,该陶瓷层含有Bi成分并由至少二成分组成,其中-仅使用一种有机酸CnH2n+1COOH(n=0,1或2)及视情况之水作为含Bi先质之溶剂,-其他先质在其他溶剂中溶解及/或另一先质已准备成流体状态,-已溶成流体之先质被施加在基材上,-加热并生成层体。2.如申请专利范围第1项之方法,其中使用有机酸CnH2n+1COOH(n=0,1或2)及视情况之水溶剂。3.如申请专利范围第2项之方法,其中所有之先质同时溶于同一先质中。4.如申请专利范围第1项之方法,其中另一先质溶于四氢喃(THF)中。5.如申请专利范围第1项之方法,其中使用有机酸之盐、氧化物、乙氧化物或甲氧化物作为先质。6.如申请专利范围第1项之方法,其中生产SBT层(钽酸锶铋)。7.如申请专利范围第6项之方法,其中使用Bi(OAc)3及Sr(OAc)2,作为先质,及醋酸作为溶剂。8.如申请专利范围第6项之方法,其中含铋先质及含锶先质溶解在醋酸中,并提升至高于含钽先质熔点之温度,且其中含钽先质系以流体形式与溶液混合,并将此混合物施加至基材。9.如申请专利范围第6项之方法,其中含铋先质及含锶先质溶于醋酸,而含钽先质溶于THF,且其中这些先质混合,并将这些先质施加在基材上。10.如申请专利范围第8项之方法,其中醋酸溶液以水稀释,混合的过程在最多为1秒的时间即完成。图式简单说明:第一图及第二图系本发明方法流程图。第三图为一积体半导体结构之小断面图,其具有一个本发明的FRAM贮存电池。 |
