| 主权项 |
1.一种填埋材料,其特征在于填充入贯穿孔内的填 埋材料,此填埋材料主要含有热交联性化合物。2. 如申请专利范围第1项之填埋材料,其中前述热交 联性化合物系指具有羟基烷基或烷氧基烷基或为 以其两者所取代的胺基之含氮化合物。3.如申请 专利范围第2项之填埋材料,其中前述含氮化合物 系三化合物。4.如申请专利范围第3项之填埋材 料,其中前述三化合物系苯胍胺。5.一种配线形 成方法,其特征在于由下述步骤: (1)于半导体基板上依序形成第一低介电体膜、第 一蚀刻止停膜、第二低介电体膜及第二蚀刻止停 膜之步骤; (2)于前述第二蚀刻止停膜之上形成具有贯穿孔形 成用图案之光阻罩膜的步骤; (3)介由前述光阻罩膜至第一低介电体膜为止形成 贯穿孔之步骤; (4)于前述贯穿孔上填充申请专利范围第1项至第4 项之任一项之填埋材料,使此填埋材料加热硬化的 步骤: (5)视必要时蚀回前述已加热硬化的填埋材料并残 留指定厚度之填埋材料于贯穿孔之底部上的步骤; (6)于前述第二蚀刻止停膜之上形成具有开槽孔形 成用之图案的光阻罩膜的步骤; (7)介由前述光阻罩膜于第二低介电体膜上形成开 槽孔,同时去除已残留在贯穿孔之底部上的填埋材 料之步骤; (8)于前述开槽孔及贯穿孔上填埋金属之步骤而成 。6.一种配线形成方法,其特征在于由下述步骤: (1)于半导体基板上依序形成低介电体膜及蚀刻止 停膜之步骤; (2)于前述蚀刻止停膜之上形有贯穿孔形成用图案 之光阻罩膜的步骤; (3)介由前述光阻罩膜并于低介电体膜上形成贯穿 孔之步骤; (4)于前述贯穿孔上填充申请专利范围第1项至第4 项之任一项之填埋材料,使此填埋材料加热硬化的 步骤; (5)视必要时蚀回前述已加热硬化的填埋材料并残 留指定厚度之填埋材料于贯穿孔之底部上的步骤; (6)于前述蚀刻止停膜之上形成具有开槽孔形成用 之图案的光阻罩膜的步骤; (7)介由前述光阻罩膜于低介电体膜上形成开槽孔, 同时去除已残留在贯穿孔之底部上的填埋材料之 步骤; (8)于前述开槽孔及贯穿孔上填埋金属之步骤而成 。图式简单说明: 第一图为说明(a)~(i)为一般的多层配线构造之形成 步骤图。 第二图为说明(a)~(g)为利用铜金属镶嵌法之多层配 线构造之形成步骤图。 第三图为说明(a)~(g)为双重金属镶嵌法之一例图。 第四图为说明(a)~(g)为双重金属镶嵌法之一例图。 第五图为说明(a)~(f)可采用与本发明有关的填埋材 料之双重金属镶嵌法之图。 |
