| 主权项 |
1.一种半导体晶圆,其特征在于包含: 具有形成积体电路之第1面、第2面及周边区域的 半导体晶圆、及 形成于该第2面及周边区域之保护膜。2.根据申请 专利范围第1项之半导体晶圆,其中该保护膜为氮 化矽膜。3.根据申请专利范围第1项之半导体晶圆, 其中,该保护膜系具有可防止铜扩散至该半导体基 板中之功能。4.一种半导体晶圆之制造方法,系包 含如下步骤: 具有形成积体电路之第1面、第2面及周边区域的 半导体晶圆,在该第1面、第2面及周边区域上形成 保护膜之步骤;及 除去一形成该第1面上之积体电路的区域上之保护 。5.根据申请专利范围第4项之半导体晶圆之制造 方法,其中,该保护膜为氮化矽膜。6.根据申请专利 范围第4项之半导体晶圆之制造方法,其中,该保护 膜系具有可防止铜扩散至该半导体基板中之功能 。7.根据申请专利范围第4项之半导体晶圆之制造 方法,其中,形成该保护膜之步骤系与形成该积体 电路之闸极的步骤相同者。8.一种半导体晶圆之 制造方法,其特征在于包含如下步骤: 使圆柱状之半导体结晶锭成长的步骤; 于前述单结晶锭之表面形成一可防止铜扩散至内 部之保护绝缘膜; 切割前述单结晶锭而于外周面形成一施予保护绝 缘膜之复数半导体晶圆的步骤。9.根据申请专利 范围第5项之半导体晶圆的制造方法,其中,具备如 下步骤:于前述半导体晶圆之主面周边部及里面, 亦形成一可防止铜扩散至连续地连接外周面之内 部的保护绝缘膜。10.一种半导体装置,系包含: 具有可形成积体电路之第1面、第2面的半导体晶 片; 形成于前述第1面之积体电路; 形成于前述第2面之保护绝缘膜。11.根据申请专利 范围第10项之半导体装置,其中,前述保护绝缘膜表 面上或其中含有铜离子或铜组成物。12.根据申请 专利范围第10项之半导体装置,其中,在前述保护绝 缘膜表面上含有铜离子或铜组成物。13.根据申请 专利范围第10项之半导体装置,其中,保护膜具有可 防止铜扩散至该半导体基板中之功能。14.根据申 请专利范围第10项之半导体装置,其中,保护膜为氮 化矽。图式简单说明: 第一图系习知之半导体装置的制造步骤断面图。 第二图系第1实例之晶圆里面的平面图。 第三图(a)至第三图(b)系制造第1实施例之晶圆的步 骤断面图。 第四图(a)至第四图(b)系制造第1实施例之晶圆的步 骤断面图。 第五图系制造第1实施例之晶圆的步骤断面图。 第六图系第1实施例之晶圆主面的平面图。 第七图(a)至第七图(b)系制造第2实施例之晶圆的步 骤断面图。 第八图系制造第2实施例之晶圆的步骤断面图。 第九图系制造第3实施例之晶圆的步骤断面图。 第十图(a)至第十图(b)系制造第3实施施例之晶圆的 步骤断面图。 第十一图(a)至第十一图(b)系制造第4实施例之晶圆 的步骤断面图。 第十二图(a)至第十二图(b)系制造第4实施例之晶圆 的步骤断面图。 第十三图系制造第4实施例之晶圆的步骤断面图。 第十四图系第4实施例之晶圆主面的平面图。 第十五图系第5实施例之晶圆主面的平面图。 第十六图系第5实施例之半导体基板的断面图。 第十七图(a)至第十七图(b)系第5实施例之锭的斜视 图。 第十八图(a)至第十八图(b)系第5实施例之锭斜视图 及晶圆平面图。 第十九图(a)至第十九图(b)系第6实施例之半导体装 置的制造步骤断面图。 第二十图(a)至第二十图(b)系第6实施例之半导体装 置的制造步骤断面图。 第二十一图系第6实施例之半导体装置的断面图。 |
