| 主权项 |
1.一种控制在真空电浆处理室中处理一或多个工 作件之射频电浆之方法,此工作件系在一工作件夹 持具上,此方法系依照各包含一组参数之多种秘诀 之一实施,与每一秘诀相关联之参数包括:(a)气体 供应至此室之流速、(b)室内之压力、(c)供应至一 多转圈激磁线圈供电浆用之功率、以及(d)由此线 圈系应用至此电浆之一射频磁场分量之一理想耦 合系数所确定之功能,此方法包含依照第一秘诀处 理一工作件以此耦合系数经作调整,因此,自线圈 之不同部分耦合至此电浆之射频磁场分量之间有 一第一关系,以及此后,依照第二秘诀处理一工作 件以此耦合系数系经调整,因此,线圈之不同部分 和电浆之间所耦合之射频磁场分量之间有一第二 关系。2.如申请专利范围第1项之方法,其中此耦合 系数系藉变化线圈之不同径向部分和电浆之间,在 大体上对包括线圈之半径之平面呈直角之一方向 中之间隔而调整。3.如申请专利范围第1项之方法, 其中此耦合系数系藉变化线圈之不同径向部分和 电浆之间之电遮蔽量而调整。4.如申请专利范围 第1项之方法,其中此耦合系数系经调整,因此,自线 圈之中心点在半径R1处之线圈部分之间较为半径R2 处线圈部分有一较低之耦合系数,此处R1系较R2为 大。5.如申请专利范围第4项之方法,其中此耦合系 数系藉变化线圈之不同径向部分之间在大体上对 包括线圈之半径之一平面呈直角之一方向中之间 隔而调整。6.如申请专利范围第5项之方法,其中此 径向部分系经调整,因此,线圈之一个外转圈系较 线圈之外转圈之另一边距窗口较远。7.如申请专 利范围第4项之方法,其中此耦合系数系藉变化线 圈之不同径向部分和电浆之间之电遮蔽量而调整 。8.一种用以在真空电浆处理室内激发射频电浆 之线圈,包含多个径向及圆周式伸展之转圈经连接 于一对射频激磁接头之间,以及一驱动配置,用以 变化射频磁场耦合系数于线圈之不同径向和圆周 部分及电浆之间。9.如申请专利范围第8项之线圈, 其中此变化配置系经安排,用以驱动线圈之不同部 分朝向及背向此电浆,以藉自电浆之不同量来间隔 不同之线圈部分。10.如申请专利范围第9项之线圈 ,其中此变化配置包括多个驱动轴固定地结合至线 圈之不同部分,此驱动轴系经连接至此线圈部分, 俾使此线圈部分可以有距电浆之不同间隔。11.如 申请专利范围第10项之线圈,其中系已连接至此轴 之线圈之部分系比较坚硬,并系机械地及电性地藉 一比较可挠性之金属构件而相互连接。12.如申请 专利范围第8项之线圈,其中此变化配置包括一遮 蔽之有至少一个移动部分者,用以截断由线圈所产 生之一部分射频电浆激磁场,并用以减少已截断磁 场部分至此电浆之耦合,以及一驱动装置,用以以 线圈和电浆为准而移动此遮蔽之移动部分,俾使遮 蔽之不同位置造成自线圈之不同部份之电浆激磁 场之耦合至电浆之不同量。13.如申请专利范围第 12项之线圈,其中线圈之绕组系以遮蔽和室为准而 固定。14.如申请专利范围第13项之线圈,其中此遮 蔽系一非磁性电导体,经连接至一基准电位。15.如 申请专利范围第14项之线圈,其中此遮蔽系经构形 作为一构件之有一内周边具有可变长度者,以及一 中心点大体上与线圈之中心点呈直线对准,此构件 系与此驱动装置结合,俾使此驱动装置变化构件内 长度。16.如申请专利范围第15项之线圈,其中此线 圈和遮蔽系一第二遮蔽所围绕,此第二遮蔽经构形 如一环,并有一外周边,其大小和构形大约地一如 处理室外周边相同,此第二遮蔽有一内周边,电及 机械性地连接至有此可变内周边之遮蔽之外圆周 。17.如申请专利范围第16项之线圈,其中有可变内 周边之遮蔽系经构形为一圈环,并系作为一虹膜而 形成。18.一种电浆处理器,包含一真空电浆处理室 ,一线圈用以激发室内之气体为一射频电浆,此线 圈包括多个径向和圆周式地伸展之转圈,经连接于 一对射频激磁接头之间,以及一驱动配置,用以变 化线圈之不同径向和圆周部分和此电浆之间之一 射频磁场耦合系数。19.如申请专利范围第18项之 电浆处理器,另包括一信号源,用以产生设定点信 号,用以控制此驱动配置之运动,以及一信号耦合 器可回应于此信号源,用以致动此驱动配置以回应 由源所产生之信号。20.如申请专利范围第19项之 电浆处理器,另包括一控制器用于此处理器,此控 制器包括一记忆体贮存多个秘诀用于适合于由此 处理器予以处理之至少一个电浆之不同处理步骤, 各秘诀包括设定点用于:(a)气体进入处理室内之流 速、(b)在处理室内之真空压力、(c)施用于线圈之 电力、以及(d)驱动构件之位置,此控制器回应于此 贮存之设定点信号,用以控制:(a)、气体进入此处 理室内之流速、(b)处理室内之真空压力、(c)施用 于此线圈之电力、以及(d)驱动构件之位置。21.如 申请专利范围第18项之电浆处理器,其中此变化配 置系经安排,用以驱动处理器之不同部分朝向及背 向此电浆,藉自电浆之不同量以分隔此不同之处理 器部分。22.如申请专利范围第21项之电浆处理器, 其中此变化配置包括数个驱动轴固定地结合至处 理器之不同部分,此驱动轴系经连接至此处理器部 分,俾使处理器部分可以有自电浆之不同分隔。23. 如申请专利范围第22项之电浆处理器,其中系已连 接至此轴之处理器之部分系比较坚硬,并系机械地 及电性地藉一比较可挠性之金属构件而相互连接 。24.如申请专利范围第18项之电浆处理器,其中此 变化配置包括一遮蔽,至少有一个移动部分用以截 接由此处理器由产生之射频电浆激磁场之一部分, 并用以减少已截接之磁场部分至电浆之耦合,以及 一驱动装置,用以以此处理器和电浆为准而移动此 遮蔽之移动部分,俾使遮蔽之不同部分造成自处理 器之不同部分至电浆之电浆激磁场之不同耦合量 。25.如申请专利范围第24项之电浆处理器,其中处 理器之绕组系以遮蔽和室为准而固定。26.如申请 专利范围第25项之电浆处理器,其中此遮蔽系一非 磁性导电体经连接至一基准电位者。27.如申请专 利范围第26项之电浆处理器,其中此遮蔽系经构形 作为一构件之有一内周边具有一可变长度者,以及 一中心点大体上与处理器之中心点直线对准,此构 件系与此驱动装置结合,俾使此驱动装置变化构件 之内长度。28.如申请专利范围第27项之电浆处理 器,其中此处理器和遮蔽系由一第二遮蔽所围绕, 此第二遮蔽经构形如一环,并有一外周边其大小和 构形大约地与处理室外周边相同,此第二遮蔽有一 内周边电及机械地连接至有可变内周边之遮蔽之 外圆周。29.如申请专利范围第28项之电浆处理器, 其中此遮蔽有可变内周边者系经构形如一环,并系 作为一虹膜而形成。图式简单说明: 第一图系一真空电浆处理器之示意图,包括在一处 理室内用以变化供应至电浆之线圈之r.f.磁场之耦 合系数之配置; 第二图系一机构之第一较佳具体例之透视图,此机 构藉改变线圈之不同部分以电浆为准之隔开,用以 变化此耦合系数;以及 第三图系机构之第二较佳具体例之俯视图,此机构 藉改变位于线圈和电浆之间之一遮蔽之虹膜之直 径,用以变化耦合系数。 |
