| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的宗旨在于在确保期望的耐压的情况下实现低导通电阻化。半导体器件配有:在半导体衬底1上通过栅绝缘膜8形成的栅电极10;形成得与该栅电极10邻接的LP层5(P型本体区);形成在该LP层5内的N型源区12以及沟道区11;在与所述LP层分隔的位置上形成的N型漏区13;形成得包围着该漏区13的LN层4(漂移区),其特征在于,在所述栅电极10之下形成与所述LP层5连接的P型层9。 | ||
| 申请公布号 | CN1320969A | 申请公布日期 | 2001.11.07 |
| 申请号 | CN01117043.3 | 申请日期 | 2001.02.27 |
| 申请人 | 三洋电机株式会社 | 发明人 | 菊地修一;西部荣次 |
| 分类号 | H01L29/78;H01L21/336;G02F1/136 | 主分类号 | H01L29/78 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 王岳;叶恺东 |
| 主权项 | 1．一种半导体器件，配有：在半导体衬底上通过栅绝缘膜形成的栅电极；形成得与该栅电极邻接的第一导电型本体区；形成在该第一导电型本体区内的第二导电型的源区以及沟道区；在与所述第一导电型本体区分隔的位置上形成的第二导电型的漏区；形成得包围着该漏区的第二导电型的漂移区，其特征在于，在所述栅电极之下形成与所述第一导电型本体区连接的第一导电型的杂质层。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||