| 发明名称 | 无电镀金属衬层形成方法 | ||
| 摘要 | 一种具有带窗口的半导体介质材料的半导体结构。第一材料对窗口进行衬里,第一材料包含MXY,其中M选自钴及镍,X选自钨及硅,而Y选自磷及硼,并且第二材料填充被衬里的介质材料。 | ||
| 申请公布号 | CN1320953A | 申请公布日期 | 2001.11.07 |
| 申请号 | CN01116590.1 | 申请日期 | 2001.04.13 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | C·J·萨姆布策蒂;S·H·博特彻;P·S·洛克;J·M·鲁滨洛;徐顺天 |
| 分类号 | H01L21/283;H01L21/441 | 主分类号 | H01L21/283 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 王勇;傅康 |
| 主权项 | 1．一种制作半导体零件的方法，包含：采用第一材料镀涂介质材料中的窗口，该材料包括CoXY，其中X选自钨、锡、及硅，而Y选自磷和硼。 | ||
| 地址 | 美国纽约州 | ||