发明名称 - SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE HAVING A MULTI-BANK MEMORY ARRAY
摘要 <p>본 발명은 멀티-뱅크 메모리 어레이를 갖는 반도체 메모리 장치에 관한 것이다. 다수의 메모리 뱅크를 한꺼번에 로우 엑세스 시키고; 전체뱅크 선택신호의 논리레벨에 따라 다수의 쓰기 인에이블신호를 출력하여 버퍼부를 인에이블 시키고, 인에이블된 버퍼부를 통하여 외부로 부터의 데이터가 상기 다수의 메모리 뱅크 각각에 쓰여지도록 한다. 또한, 전체뱅크 선택신호의 논리레벨에 따라, 다수의 읽기 인에이블신호를 출력하여 버퍼부를 인에이블 시키고, 상기 다수의 메모리 뱅크에서 출력되는 각각의 데이터를 조합하여 외부로 출력함으로써, 다수의 메모리 뱅크가 동시에 엑세스 되고, 다수의 메모리 뱅크의 동일한 위치에 동일한 값을 갖는 데이터가 동시에 쓰여지고, 쓰여진 데이터가 조합되어 출력 됨으로써, 테스트에 소요되는 시간이 현저히 줄어드는 효과가 있다.</p>
申请公布号 KR100313503(B1) 申请公布日期 2001.11.07
申请号 KR19990005021 申请日期 1999.02.12
申请人 null, null 发明人 주양성
分类号 G11C7/00;G11C8/12;G11C29/26 主分类号 G11C7/00
代理机构 代理人
主权项
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