光子晶体量子阱结构及其制备方法

摘要

本发明是一种光子晶体量子阱结构。本发明用两种不同的介电材料组成光子晶体,然后以光子晶体A/光子晶体B/光子晶体A排列制成光子晶体量子阱结构。选择适当的结构和介电常数配比,使量子阱即中间光子晶体的光子能带结构与势垒区即两端光子晶体的能带结构不同。由于两种光子晶体的光子能带结构不同,光波的传输特性可以得到调制,出现许多新的物理现象。

主权项

1．一种光子晶体量子阱结构，由介电材料组成，其特征是用两种介电材料按照一维、二维和三维周期排列而构成一维、二维和三维光子晶体，光子晶体按照光子晶体A/光子晶体B/光子晶体A排列，即中间光子晶体的光子能带结构与两端光子晶体的光子能带结构不同；组成光子晶体的两种介电材料的介电常数的比值可以在1.2～20之间变化；两种介电材料所占的空间之比是0.05～0.95。