发明名称 | 薄膜电路材料的激光成象 | ||
摘要 | 形成薄膜电气组件的方法,包括将具有所需电气性能的薄膜沉积在异质基底上,用计算机导向激光器的热能除去该薄膜的选定部分。根据本发明的一个方面,该薄膜为导电材料,例如铂或掺杂铂,且该基底为金属箔,例如铜箔。激光产生的热能烧蚀掉部分薄膜。根据本发明的另一个方面,在介电材料基底上沉积零价金属层,该基底的熔点或分解温度比零价金属的明显高。用计算机导向激光器将该零价金属层形成图案以形成电路组件,该激光提供的热能足以汽化掉零价金属层上的选定部分。 | ||
申请公布号 | CN1321060A | 申请公布日期 | 2001.11.07 |
申请号 | CN00128400.2 | 申请日期 | 2000.10.13 |
申请人 | 莫顿国际公司 | 发明人 | W·E·纳克尔;R·W·卡彭特 |
分类号 | H05K3/02;H01L27/13 | 主分类号 | H05K3/02 |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 段承恩 |
主权项 | 1.一种薄膜电路组件的制造方法,包括在不同材料的基底上沉积材料薄层,并将所述薄层的选定部分暴露在计算机导向激光器提供的热能中。 | ||
地址 | 美国伊利诺斯州 |