| 发明名称 |
Method for forming a barrier layer in an electronic device |
| 摘要 |
<p>Eine Barriereschicht wird auf einer Substratschicht gebildet, indem Implantierungsatome in das Substratmaterial der Substratschicht implantiert werden. Auf das Substratmaterial wird eine Metallschicht aufgebracht und das Substratmaterial, die Implantierungsatome und die Metallschicht werden zumindest teilweise miteinander in Reaktion gebracht derart, dass die Barriereschicht gebildet wird. <IMAGE></p> |
| 申请公布号 |
EP1152459(A2) |
申请公布日期 |
2001.11.07 |
| 申请号 |
EP20010110870 |
申请日期 |
2001.05.04 |
| 申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
CAPPELLANI, ANNALISA;WILLER, JOSEF, DR.;SCHUMANN, DIRK, DR. |
| 分类号 |
H01L21/265;H01L21/28;H01L29/49;(IPC1-7):H01L21/265;H01L21/768;H01L21/285 |
主分类号 |
H01L21/265 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
