发明名称 A infrared sensor using a ferroelectric layer and a FET and a method for fabricating and operating the same
摘要 <p>본 발명은 상온에서 적외선 검출(IR detection)이 가능한 강유전체 전계 효과 트랜지스터 적외선 센서 및 그 제조 방법과 작동 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 강유전체 전계효과 트랜지스터 적외선 센서는 적외선 흡수 소자에 강유전체 및 전계 효과 트랜지스터를 접속시켜 전류 대신에 채널 변화를 검출하는 것이다. 따라서, 회로적으로 시정수(RC constant)의 영향을 받지 않아 쵸퍼(chopper)가 필요없고, 열에 의한 채널 변화가 아니라 분극(polarization)에 의한 채널 변화를 검출하므로 응답속도가 빠르고 또한 분극을 임의로 초기화할 수 있으므로 감도(sensitivity) 조절이 가능하다.</p>
申请公布号 KR100304669(B1) 申请公布日期 2001.11.07
申请号 KR19990038312 申请日期 1999.09.09
申请人 null, null 发明人 유인경
分类号 H01L31/09;H01L29/80 主分类号 H01L31/09
代理机构 代理人
主权项
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