| 发明名称 | 喷墨头的制程与结构 | ||
| 摘要 | 一种喷墨头的制程与结构，借助于选定的基板上形成一介电层，再于介电层上以直流溅镀（DC SPuttering）方式形成一电阻层，而于该电阻层上形成一导电层之后，再利用直流溅镀（DC SPuttering）方式或以电浆增强化学汽相沉积法（PlasmaEnhanced Chemical Vapor Deposition PECVD）方法，以沉积一保护层，而于该保护层上施行一喷孔处理步骤，如此将可提供一较佳特性的喷墨头结构，且可避免制程中产生有毒气体的影响。$＃! | ||
| 申请公布号 | CN1074358C | 申请公布日期 | 2001.11.07 |
| 申请号 | CN97121346.1 | 申请日期 | 1997.10.21 |
| 申请人 | 研能科技股份有限公司 | 发明人 | 莫自治;周沁怡;蔡宏骏;杨长谋;张一熙 |
| 分类号 | B41J2/14;B41J2/16 | 主分类号 | B41J2/14 |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所 | 代理人 | 张恒康 |
| 主权项 | 1．一种喷墨头的制程，其特征在于：制程步骤系可包括：a)形成一介电层于一基板上；b)形成一电阻层于该介电层上；c)形成一导电层于部份该电阻层上；d)形成一保护层于未被该导电层覆盖的该电阻层上方及部份该导电层上方；e)形成一墨水储存槽；以及f)施行一喷孔处理步骤，以完成该喷墨头的制程步骤。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学园区研发二路28号1F | ||