| 发明名称 | 一种脉冲微波强化高压低温等离子体化学反应装置 | ||
| 摘要 | 一种脉冲微波强化高压低温等离子体化学反应装置,其特征在于:该装置由波导—同轴转换(1)、同轴腔(2)、带重入柱的TM<SUB>010</SUB>谐振腔(3)连接构成;同轴腔(2)的内导体(21)深入到TM<SUB>010</SUB>谐振腔(3)中,并通过高压引入结构(22)引入等离子体激发电压。本实用新型可以使等离子体得到有效控制,从而可以实现等离子体化学合成的产业化。 | ||
| 申请公布号 | CN2458622Y | 申请公布日期 | 2001.11.07 |
| 申请号 | CN00252860.6 | 申请日期 | 2000.11.15 |
| 申请人 | 中国科学院金属研究所 | 发明人 | 张劲松;杨永进;张;刘强;沈学逊 |
| 分类号 | G01N22/00 | 主分类号 | G01N22/00 |
| 代理机构 | 中国科学院沈阳专利事务所 | 代理人 | 张晨 |
| 主权项 | 1、一种脉冲微波强化高压低温等离子体化学反应装置，其特征在于：该装置由波导-同轴转换(1)、同轴腔(2)、带重入柱的TM010谐振腔(3)连接构成；同轴腔(2)的内导体(21)深入到TM010 谐振腔(3)中，并通过高压引入结构(22)引入等离子体激发电压。 | ||
| 地址 | 110015辽宁省沈阳市沈河区文化路72号 | ||