| 摘要 |
본 발명은 반도체 장치의 마스크 제조 공정중 이격거리가 큰 전도배선 패턴 사이에 더미(dummy) 배선용 패턴을 형성함에 있어서, 실제 마스크에 더미 배선용 패턴을 형성하지 않고 전도배선에 대한 데이터 값을 이용하여 더미 배선용 패턴을 형성하여 마스크를 제작할 수 있는 반도체 장치의 전도배선 마스크 제조방법에 관한 것으로, 이를 위하여 본 발명은, 전도배선을 형성하고자 하는 실리콘 기판의 전체 크기에 대한 전체 데이터를 산출하는 제 1 단계; 전도배선에 대한 전도배선 패턴의 크기 및 모양, 위치를 판독하여 전도배선 데이터를 생성하고 이를 저장하는 제 2 단계; 전도배선 데이터를 소정 크기로 확장하여 확장 전도배선 데이터를 생성하는 제 3 단계; 전체 데이터로부터 확장 전도배선 데이터에 대한 차분 데이터를 산출하여 더미용 전도배선 패턴 데이터를 생성하는 제 4 단계; 더미용 전도배선 패턴 데이터 및 전도배선 데이터를 가산하여 가산된 데이터에 대응하는 크기 및 위치를 갖는 패턴을 클리어 필드(clear field) 방법을 이용하여 마스크에 형성하는 제 5 단계를 포함하므로써, 더미 배선용 패턴을 형성하기 위한 공정을 간소화할 수 있는 효과가 있으며, 또한 더미 배선용 패턴을 위한 마스크 제조 비용과 인력을 절감할 수 있는 효과가 있다. |
