| 摘要 |
<p>본 발명은 강유전체를 게이트 산화물(gate oxide)층에 적용하고 적외선에 의한 강유전체 분극(polarization)의 변화를 박막트랜지스터(TFT)로 검출하며 상온에서 작동이 가능한 강유전체 박막 트랜지스터 적외선 검출기(IR detector)에 관한 것이다. 즉, 적외선 흡수소자에 접합된 강유전체에 게이트 산화물이 없는 박막 트랜지스터를 직접 접속시켜 강유전체를 게이트 산화물로 이용함으로써, 게이트 산화물이 형성된 트랜지스터를 사용할 경우에 게이트 산화물에서 발생되는 전압강하를 제거하여, 적외선(IR)에 의한 강유전체 분극변화를 보다 정확하게 감지할 수 있다. 즉, 강유전체가 분극되면 반도체 박막에 속박 전하(bound charge)가 형성되는데, 소스-드레인(source-drain) 사이의 저항의 변화(혹은 도전율(conductivity) 변화)를 읽거나, 채널의 상태에 따른 소스-드레인 간의 전류를 읽어 적외선에 의한 강유전체의 분극변화를 정확하게 감지한다.</p> |
