COMPOSITION FOR CMP POLISHING

摘要

본 발명은 탈이온수 30∼99중량%, 금속산화물미분말 0.1∼50중량% 및 사이클릭아민 0.01∼20중량%를 포함하여 조성되는 것을 특징으로 하는 연마용 조성물에 관한것으로 본 발명에 따른 연마용 조성물은 특히 반도체 디바이스 제조시 CMP기술이 적용되는 층간 절연막 및 금속배선의 연마에 사용할 경우 연마후의 웨이퍼 표면에 μ-스크래치를 일으키지 않아 반도체 디바이스의 표면을 고도로 평탄화 가공할수 있는 잇점을 제공한다.