| 摘要 |
<p>본 발명은 반도체소자에 관한 것으로, 피웰이 구비되는 반도체기판이 구비되고, Vssq 에 접속되는 엔형 불순물 접합영역과 Vss 에 접속되는 피형 불순물 접합영역이 반도체기판에 구비되고, 상기 Vssq 에 접속되는 엔형 불순물 접합영역과 Vss 에 접속되는 피형 불순물 접합영역 사이에 NMOS 가 구비되고, 상기 NMOS 의 게이트전극과 드레인전극이 Vss 에 접속되어 구비되어 상기 Vssq 에 접속되는 엔형 불순물 접합영역과 피웰 다이오드의 턴온 ( turn on )을 방지함으로써 소자의 오동작을 방지하여 반도체소자의 특성 및 신뢰성을 향상시키는 기술이다.</p> |
