| 摘要 |
<p>본 발명은 센스엠프의 컬럼 트랜지스터 레이아웃 방법에 관한 것으로서, 사각 형상의 활성영역 4개를 한조로 하여 각조를 바둑판 형상으로 반복배치하고, 가로 방향 및 세로 방향으로 각각 연장되는 비트라인과 로컬 데이터 라인을 형성하되. 하나의 활성영역에는 두 개의 비트라인과 하나의 로컬 데이터 라인이 연결되도록 하고, 게이트전극은 절곡부를 가지도록 하여 트랜지스터의 폭을 향상시켰으므로, 컬럼 트랜지스터의 콘택수가 줄어들고 채널 폭이 증가되어 작은 면적에 컬럼 트랜지스터들을 배치할 수 있어 제한된 면적 내에서의 센스엠프 배치 면적이 증가되어 설계의 여유도가 증가되고, 콘택 형성을 위한 공정여유도가 증가되어 소자의 고집적화에 유리하고, 소자의 동작 특성을 향상시킬 수 있다.</p> |
