| 摘要 |
<p>본 발명은 차세대 메모리장치에서 셀내 게이트 산화막의 신뢰도를 향상시키기 위해 고전압의 전위레벨을 일정수준 낮추어 발생시키도록 하는 고전압 발생기에 관한 것으로, 보다 상세하게는 동작전압 범위이하에서는 그대로 전하펌핑에 의해 고전압을 발생시키는 한편, 동작전압 범위내에서는 전하펌핑을 수행하는 대신 외부 전원전압을 이용하여 고전압을 일정 전위수준 낮게 발생시키므로써, 저효율의 전하 펌핑동작에 불필요하게 소모되는 전력 및 시간의 낭비를 최소화하여 고속의 저전력 동작을 실현할 수 있도록 한 고전압 발생기에 관한 것이다.</p> |
