| 摘要 |
<p>본 발명은 반도체장치 및 그의 제조방법에 관한 것으로서 반도체기판과, 상기 반도체기판의 분리영역에 형성되어 소자의 활성영역을 한정하는 트렌치와, 상기 트렌치를 채우는 제 1, 제 2 및 제 3 충진절연층으로 형성되되 상기 제 2 충진절연층이 상기 제 1 및 제 3 충진절연층과 식각 선택비가 다른 물질로 형성되며 상기 제 3 충진절연층이 상기 트렌치의 상부 모서리를 덮도록 형성된 필드절연층을 포함한다. 따라서, 제 3 충진절연층이 트렌치와 접촉되는 모서리 부분에 함몰부가 형성되지 않으므로 서브드레쉬홀드 전압 인가시 험프 특성이 발생되지 않아 누설 전류의 증가 및 소자의 리프레쉬 특성의 저하를 방지할 수 있으며, 또한, 제 3 충진절연층이 트렌치의 상부 모서리를 덮으면서 형성되므로 이 후에 형성되는 게이트절연막이 얇아져 항복 전압 특성이 저하되는 것을 방지할 수 있다.</p> |
