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<p>완전 공핍형 ESD 보호 CMOS 소자의 형성에 관해 설명한다. 상기 소자는 S0I 기판 또는 SIM0X 기판상에 형성되고, 그 위에 산화물 패드가 10∼30 nm의 두께로 성장된다. ESD 트랜지스터의 임계 전압을 조절하기 위해, 적절한 이온이 산화물로 주입된다. 실리콘 상부막의 일부가 50 nm 이하의 두께로 얇아진다. 완전 공핍형 CMOS 소자가 얇아진 실리콘 상부막상에 형성되는 한편 ESD 소자는 원래의 두께를 갖는 실리콘 상부막상에 형성된다.</p> |
