发明名称 METHOD FOR PATTERNING PHOTORESIST
摘要 <p>포토레지스트와 이온주입층과의 기울기를 조절하는 것에 의해 원하는 부분에 정확하게 이온이 주입될 수 있도록 하는데 적당한 포토레지스트 패터닝방법을 제공하기 위한 것으로, 틸트 이온주입시 마스크로 사용하는 포토레지스트 패턴 형성방법에 있어서, 상기 포토레지스트 패턴의 단면이 기울기를 갖도록 형성하되 상기 포토레지스트 패턴의 기울기가 상부쪽에서보다 하부쪽에서 더 큰 경사각을 갖도록 형성함을 특징으로 한다.</p>
申请公布号 KR100311494(B1) 申请公布日期 2001.11.02
申请号 KR19990013361 申请日期 1999.04.15
申请人 null, null 发明人 윤강식
分类号 H01L21/027 主分类号 H01L21/027
代理机构 代理人
主权项
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