| 摘要 |
<p>본 발명은 모스 트랜지스터 제조방법에 관한 것으로, 종래 모스 트랜지스터 제조방법은 게이트전극의 측면 기판하부에 저농도 소스 및 드레인 형성을 위한 불순물 이온을 주입하여, 후속공정으로 열처리공정을 사용할 경우 그 저농도 소스 및 드레인이 게이트의 하부측으로 확산되어, 실질적으로 채널의 길이가 짧아지게 되어 단채널효과가 발생하는 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 기판의 상부에 산화막을 증착하고, 그 산화막의 일부를 식각하여 기판의 상부일부를 노출시킨 후, 경사이온주입에 의한 이온주입공정으로, 상기 노출된 기판의 주변부에 저농도 소스 및 드레인을 형성하는 단계와; 상기 구조의 상부전면에 질화막을 증착하고, 그 질화막을 건식식각하여 상기 산화막의 식각영역 측면과 상기 저농도 소스 및 드레인의 상부측에 위치하는 질화막 측벽을 형성하는 단계와; 상기 측벽의 사이에 노출된 기판을 산화시켜 게이트산화막을 형성한 다음, 상기 구조의 상부전면에 다결정실리콘을 증착하고, 평탄화하여 상기 측벽의 사이에 위치하는 게이트전극을 형성하는 단계와; 상기 산화막을 제거하고, 노출된 기판에 불순물이온을 이온주입하여 상기 측벽의 측면 기판 하부에 고농도 소스 및 드레인을 형성한 후, 열처리하는 단계로 구성되어, 저농도 소스 및 드레인의 확산을 감안하여 게이트 측벽 및 게이트의 크기를 결정하여 단채널효과의 발생을 방지하는 효과가 있다.</p> |
