| 发明名称 |
SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF |
| 摘要 |
<p>반도체장치는 반도체기판상에 배치된 커패시터 및 배선층을 포함한다. 커패시터는 하부전극, 용량절연막 및 상부전극으로 형성된다. 배선층은 제 1 배선층 및 제 1 배선층상에 적층된 제 2 배선층으로 형성된다. 하부전극 및 제 1 배선층은 제 1 금속층으로 형성된다. 상부전극 및 제 2 배선층은 제 2 금속층으로 형성된다. 용량절연막은 하부전극상에만 형성된다.</p> |
| 申请公布号 |
KR100306202(B1) |
申请公布日期 |
2001.11.02 |
| 申请号 |
KR19990040676 |
申请日期 |
1999.09.21 |
| 申请人 |
null, null |
发明人 |
아단알베르토오스카 |
| 分类号 |
H01L27/04;H01L21/02;H01L21/3205;H01L21/768;H01L21/822;H01L23/52;H01L27/108 |
主分类号 |
H01L27/04 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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