| 摘要 |
워드선(111)의 표면을 피복하는 산화실리콘막의 막 두께가 게이트전극의 측면을 피복하는 절연막 스페이서(127a)의 막 두께보다 얇고, 상기 현상을 반영하여 BPSG막(133)의 표면의 단차이가 KrF 엑시머 레이저의 초점심도 DOF의 1/2보다 작고 KrF 엑시머 레이저의 파장보다 좁은 선폭과 간격을 갖는 비트선(137a)이 단락 및 절단되지 않고서 형성된다. 결과적으로 노광의 파장보다 좁은 선폭 및 간격을 갖는 비트선이 생산성을 희생시키지 않고 형성 가능하다. |
