| 摘要 |
<p>규소 기판 위에 게이트 전극과 반도체 패턴, 소스 및 드레인 전극으로 이루어진 박막 트랜지스터를 형성한다. 이어, 절연막을 증착하고 패터닝하여 드레인 전극 드러내는 접촉 구멍을 형성한다. 이어, 배리어 금속층과 텅스텐층을 증착한 후 절연막이 드러날 때까지 평탄화 공정을 실시한다. 이어, 질화 티타늄막을 증착하고 기판을 대기 중에 방치한다. 이어, 질화 티타늄막 위에 반사막으로 알루미늄막을 증착한다. 이렇게 증착한 알루미늄막은 질화 티타늄막을 증착한 후 이어서 증착한 알루미늄막에 비해 활성화 에너지가 작아서 그레인 크기가 작기 때문에 표면이 균일하다. 표면이 균일하면 난반사가 적어지므로 빛이 입사되면 알루미늄막은 90-92%의 높은 반사율을 나타낸다. 또한, 알루미늄막의 두께를 1,000Å까지 줄여도 90-92%의 높은 반사율을 얻을 수 있다.</p> |
