发明名称 SENSE AMP DRIVING CIRCUIT FOR SYNCHRONOUS DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY
摘要 <p>본 발명은 에스디램의 센스앰프 구동회로에 관한 것으로, 종래에는 공정마진과 동작마진을 고려하여 비트라인을 오버 드라이빙하는 구간을 결정하고 그에 따라 약간의 오버슈트를 허용하는데, 이로 인해 에스디램의 리프레쉬 동작시 과도한 전류가 발생하는 문제점이 있었다. 따라서, 본 발명은 센스앰프 인에이블바 신호를 소정 논리 연산하여 제1,제2 펄스폭 조정신호를 출력하는 펄스폭조정부와, 상기 제1,제2 펄스폭 조정신호를 매트 선택신호와 소정 논리 조합하는 센스앰프구동제어부와, 상기 센스앰프구동제어부의 출력신호에 의해 센스앰프를 구동하는 센스앰프구동부로 구성된 에스디램의 센스앰프 구동회로에 있어서, 상기 펄스폭조정부는 센스앰프인에이블바신호를 입력받아 이를 순차적으로 지연하는 제1,제2 지연부와, 리프레쉬신호를 반전하는 제1 인버터와, 상기 제1 인버터의 출력신호와 상기 제1 지연부의 출력신호를 입력받아 이를 노아 연산하는 노아게이트와, 상기 제2 지연부의 출력신호를 반전하는 제2 인버터와, 상기 제2 인버터의 출력신호와 제1 노아게이트의 출력신호 및 상기 센스앰프인에이블바신호를 입력받아 이를 노아 연산하는 제2 노아게이트와, 상기 센스앰프인에이블바신호를 순차적으로 반전하는 제3,제4 인버터와, 상기 제2 노아게이트의 출력신호를 반전하는 제5 인버터와, 상기 제4, 제5 인버터의 출력신호를 입력받아 이를 노아 연산하는 제3 노아게이트와, 상기 제4,제5 인버터의 출력신호를 입력받아 이를 낸드 연산하는 낸드게이트와, 상기 제3 노아게이트의 출력신호를 반전하는 제6 인버터와, 상기 낸드게이트의 출력신호를 반전하는제7 인버터로 구성하여 리프레쉬 모드시 오버 드라이빙 구간을 줄일도록 펄스폭을 조정함으로써 과도한 전류의 소모를 줄여 소비전력을 절감함과 아울러 데이터 센싱동작을 안정적으로 수행하는 효과가 있다.</p>
申请公布号 KR100309472(B1) 申请公布日期 2001.11.02
申请号 KR19990045367 申请日期 1999.10.19
申请人 null, null 发明人 김연옥
分类号 G11C11/407 主分类号 G11C11/407
代理机构 代理人
主权项
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