| 摘要 |
<p>트렌치형 게이트 구조를 갖는 전력 반도체 소자가 기재되어 있다. 이는, 제1 도전형의 제1 반도체층과, 제1 반도체층의 일면에 형성된 제2 도전형의 제2 반도체층, 그리고 제2 반도체층을 관통하고 동일한 깊이를 가지며 서로 평행하게 형성된 복수의 분리영역들을 구비하되, 제2 반도체층은 최외곽 반도체영역을 가지면서 복수의 분리영역들에 의해 복수의 반도체영역으로 분리되고, 최외곽 반도체영역은, 복수의 분리영역들의 말단부 사이에 형성되며 분리영역보다 얕은 깊이의 제1 반도체영역과, 분리영역들중 최외곽 분리영역의 주변부와, 나머지 분리영역들의 말단부 주변부를 둘러싸며 칩 전체에 걸쳐 연결된 제2 반도체영역으로 이루어져 있다.</p> |
