| 摘要 |
<p>본 발명은 아날로그 디바이스에서는 전류이득을 향상시키고 ESD 보호회로 영역에서는 래치-업을 더욱 활성화시켜 ESD 보호 특성을 향상시키도록 한 반도체 소자의 제조방법에 관한 것으로서, 반도체 기판에 아날로그 디바이스와 ESD 보호회로 및 로직 디바이스를 형성하는 반도체 소자의 제조방법에 있어서, 반도체 기판에 일정한 간격을 갖는 복수개의 소자 격리막을 형성하는 단계와, 상기 아날로그 디바이스와 ESD 보호회로가 형성될 영역의 반도체 기판에 니트로겐 이온을 주입하여 니트로겐 불순물 영역을 형성하는 단계와, 상기 반도체 기판에 선택적으로 불순물 이온을 주입하여 상기 소자 격리막 사이의 반도체 기판 표면내에 제 1 도전형 웰 영역과 제 2 도전형 웰 영역을 각각 형성하는 단계를 포함하여 형성함을 특징으로 한다.</p> |
