发明名称 铝铜合金的重工方法
摘要 本发明利用适当的升温及降温处理,来对铝铜合金加以重工,使其成为以AlCu为主的型态。其中,升温步骤是将晶片加热到一超过该铝铜合金的相转移温度的高温,例如400℃,使得铝铜合金均处于α相,在此相时无A1v2Cu的存在。然后进行一迅速降温步骤,以迅速的降温来避免 A1v2Cu的生成,如此生成的铝铜合金即是以AlCu为主要形式,所以在之后的蚀刻步骤中,可避免蚀刻不完全而形成金属线桥的问题。升温及降温步骤是在一具有减压装置的加热器,比如去光阻机,中进行。
申请公布号 TW462094 申请公布日期 2001.11.01
申请号 TW089121391 申请日期 2000.10.13
申请人 联华电子股份有限公司 发明人 许立德;邹议汉;廖俊雄
分类号 H01L21/324 主分类号 H01L21/324
代理机构 代理人 陈达仁 台北巿南京东路二段一一一号八楼之三;谢德铭 台北巿南京东路二段一一一号八楼之三
主权项 1.一有关铝铜合金重工的方法,其中该铝铜合金系在低于该铝铜合金的相转移温度的一第一温度时沈积在一底材上,并有一第一光阻层形成在该铝铜合金之上,该重工方法至少包含:去除该第一光阻;将该铝铜合金加热至一第二温度,该第二温度高于该相转移温度;冷却该铝铜合金;及沈积一第二光阻层。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该方法更包含进行铝铜合金蚀刻。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该铜铝合金中铜含量约在1.5%以下。4.如申请专利范围第1项之方法,其中该铜铝合金中铜含量约为0.5%。5.如申请专利范围第1项之方法,其中在该铝铜合金之成分更包含矽。6.如申请专利范围第1项之方法,其中该将该铝铜合金加热的步骤系以一加热器进行。7.如申请专利范围第6项之方法,其中该加热器至少包含去光阻机。8.一有关铝铜合金重工的方法,其中该铝铜合金系在约300℃沈积在一底材上,并有一第一光阻层沈积在该铝铜合金之上,该重工方法至少包含:去除该第一光阻;将该铝铜合金加热至约400℃以上;冷却该铝铜合金;及沈积一第二光阻层。9.如申请专利范围第8项之方法,其中该方法更包含进行铝铜合金蚀刻。10.如申请专利范围第8项之方法,其中该铜铝合金中铜含量约为0.5%。11.如申请专利范围第8项之方法,其中在该铝铜合金之成分更包含矽。12.如申请专利范围第8项之方法,其中该将该铝铜合金加热至400℃以上的步骤系以一加热器进行。13.如申请专利范围第12项之方法,其中该加热器至少包去光阻机。14.一有关铝铜合金重工的方法,该重工方法至少包含:在一第一温度时沈积一层铝铜合金在一底材上,其中该第一温度约等于该铝铜合金的相转移温度;沈积一第一光阻层在该铝铜合金之上;图案转移该第一光阻层;蚀刻该铝铜合金;中断该蚀刻;去除该第一光阻;将该铝铜合金加热至一第二温度,该第二温度高于该相转移温度;冷却该铝铜合金;沈积一第二光阻层;图案转移该第二光阻层;及蚀刻该铝铜合金。15.如申请专利范围第14项之方法,其中该铜铝合金中铜含量约在1.5%以下。16.如申请专利范围第14项之方法,其中该铜铝合金中铜含量约为0.5%。17.如申请专利范围第14项之方法,其中在该铝铜合金之成分更包含矽。18.如申请专利范围第14项之方法,其中该将该铝铜合金加热的步骤系以一加热器进行。19.如申请专利范围第14项之方法,其中该加热器至少包含去光阻机。图式简单说明:第一图显示铝铜合金之铜含量与相转移温度的关系图。第二图显示过去铝铜合金重工方法的流程示意图。第三图显示本发明之铝铜合金重工方法的流程示意图。
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