| 主权项 |
1.一种低欧姆式接触电阻半导体元件制作技术改良,其特征为;在单晶矽上方或底部与金属接触面上形成渠沟结构或在渠沟凹凸处实施砂喷射分布(sand blast),使欧姆式接触的面积增加,降低通过的电流密度;由于接触电阻大幅降低,可减少耗电量。2.依专利范围第1项所述之一种低欧姆式接触电阻半导体元件制作技术改良,于矽晶片正面及背面形成凹凸状的锥形或矩形或各种形状的的渠沟,增加与上方金属铝及底部金属铬的接触面积。3.依专利范围第1项所述之一种低欧姆式接触电阻半导体元件制作技术改良,于矽晶片正面及背面形成凹凸状的锥形或矩形或各种形状的渠沟,并于渠沟接触面上实施砂喷射分布,增加与金属的接触面积。4.依专利范围第1项所述之一种低欧姆式接触电阻半导体元件制作技术改良,于矽晶片上方及底部形成凹凸状的渠沟,于晶片背面蒸镀三层金属层,第一层为与单晶矽良好结合400埃的铬(Cr)金属,第二层为4000埃的镍(Ni)金属,第三层为7000埃的银(Ag)金属。5.依专利范围第1项所述之一种低欧姆式接触电阻半导体元件制作技术改良,在晶片渠沟的凹凸接合面进行砂喷射分布方式,系在压力1.5kg/m,喷射砂粒大小为1000mesh,喷射时间为5sec/4inch下实施砂喷射,而后削除其厚度,保持约0.5微米(micron),完成后再以超音波纯水洗净并乾燥处理。图式简单说明:第一图系习用之实施例。第二图系本创作利用渠沟凹凸接触面实施例第三图系本创作利用渠沟凹凸面实施砂喷射实施例第四图系本创作锥形面砂喷射分布之扩大表示图第五图系本创作矩形面砂喷射分布之扩大表示图 |
