| 主权项 |
1.一种半导体晶圆清洗溶液,包括水、氢氧化铵、 一水溶性金属氢氧化物以及一有机腐蚀抑制剂。2 .如申请专利范围第1项所述之半导体晶圆清洗溶 液,其中该氢氧化铵是以0.01至2wt%的浓度范围存在 。3.如申请专利范围第1项所述之半导体晶圆清洗 溶液,其中该水溶性金属氢氧化物系择自KOH、NaOH 、RbOH、Ca(OH)2及CsOH所组成的族群中。4.如申请专 利范围第3项所述之半导体晶圆清洗溶液,其中该 水溶性金属氢氧化物是以0.1至5wt%的浓度范围存在 。5.如申请专利范围第3项所述之半导体晶圆清洗 溶液,其中该有机腐蚀抑制剂是三唑类化合物,系 择自苯并三唑、丁基三唑、己基三唑、辛基三唑 以及卤素三唑所组成的族群中。6.如申请专利范 围第5项所述之半导体晶圆清洗溶液,其中该三唑 类化合物是以0.0001至2wt%的范围存在。7.一种清洗 半导体晶圆表面的方法,在制造过程中,使半导体 晶圆表面与一半导体晶圆清洗溶液接触,该半导体 晶圆清洗溶液包括水、氢氧化铵、一水溶性金属 氢氧化物以及一有机腐蚀抑制剂。8.如申请专利 范围第7项所述之方法,其中在半导体晶圆清洗溶 液中的氢氧化铵,是以0.01至2wt%的浓度范围存在。9 .如申请专利范围第7项所述之方法,其中在半导体 晶圆清洗溶液中的水溶性金属氢氧化物,系择自KOH 、NaOH、RbOH、Ca(OH)2及CsOH所组成的族群中。10.如申 请专利范围第9项所述之方法,其中在半导体晶圆 清洗溶液中的水溶性金属氢氧化物,是以0.1至5wt% 的浓度范围存在。11.如申请专利范围第7项所述之 方法,其中在半导体晶圆清洗溶液中的有机腐蚀抑 制剂,系择自苯并三唑、丁基三唑、己基三唑、辛 基三唑以及卤素三唑所组成的族群中。12.如申请 专利范围第11项所述之方法,其中在半导体晶圆清 洗溶液中的有机腐蚀抑制剂,是以0.0001至2wt%的浓 度范围存在。图式简单说明: 第一图系说明习知CMP后之毛刷以及流体清洗系统 之图示。 第二图系显示以本发明之具体实施例清洗之后,存 在于半导体晶圆上之CMP后的颗粒,相对于以先前技 艺之只有NH4OH之CMP后的溶液清洗之图示。 |
