| 摘要 |
본 발명은, 유리기판(10)상에 박막 트랜지스터를 제조하는 경우, 유리기판 (10)상에 비단결정 실리콘박막으로 이루어진 제1박막(30)을 형성하고, 제1박막상에 제2박막(53)을 형성하며, 상기 제2박막을 에칭하여 마스크 패턴(54)을 형성하고, 마스크 패턴을 매개로 하여 상기 제1박막(27)에 불순물 이온을 주입하여 소스영역 (31) 및 드레인영역(33)을 형성한다. 이 때, 마스크 패턴(54) 형성공정과 소스 및 드레인영역의 형성공정을, 기판 (10)을 대기에 노출시키지 않고 연속하여 행한다. |
