| 摘要 |
<p>메모리 셀로의 기록을 고속화하여 사이클 타임을 단축함과 동시에 비트 라인쌍 사이의 미소 전압을 충분히 확보한다. 본 발명은 비트 라인 및 워드 라인에 접속된 셀 트랜지스터 및 셀 커패시터를 포함하는 메모리 셀을 갖는 메모리 장치에 관한 것이다. 메모리 장치는 비트 라인을 제1 전압으로 프리차지하는 프리차지 회로와, 비트 라인의 전압을 검출하여 이 검출된 비트 라인을 H 레벨용의 제2 전압 또는 L 레벨용의 제3 전압으로 구동하는 감지 증폭기 및 셀 커패시터의 H 레벨용 기록 전압을 제2 전압보다 낮은 제4 전압으로 하도록 워드 라인을 구동하는 워드 라인 구동 회로를 갖는다. 그리고, 제1 전압이 제2 전압과 제3 전압의 중간치보다도 낮은 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 비트 라인의 H 레벨용의 전압(제2 전압)보다도 셀 커패시터의 H 레벨용의 기록 전압(제4 전압)을 낮게 설정하여, 셀 트랜지스터의 V가 0이 되는 것을 방지하고 기록이나 재기록시의 시간을 짧게 한다. 더욱이, 비트 라인의 프리차지 전압(제1 전압)을 비트 라인의 진폭의 반보다 낮게 설정한다. 이것에 따라, 메모리 셀 내의 전압을 저하시킨 것에 수반하여 비트 라인의 미소 전압값이 저하하는 것을 방지할 수 있다.</p> |
