| 摘要 |
<p>본 발명은 반도체소자의 하드마스크 형성방법에 관한 것으로, 반도체기판 상부에 게이트전극용 도전체를 형성하고 그 상부에 제1실리콘질화막 및 실리콘 리치 실리콘산화질화막의 적층구조의 하드마스크를 형성한 다음, 상기 게이트전극용 도전체와 하드마스크를 패터닝하여 게이트전극을 형성하고 상기 게이트전극 측벽에 제2실리콘질화막으로 절연막 스페이서를 형성한 다음, 전체표면상부에 층간절연막을 형성하고 상기 반도체기판 셀영역의 층간절연막을 자기정렬적으로 식각하여 콘택홀을 형성한 다음, 상기 콘택홀을 매립하는 콘택플러그용 도전체를 형성하고 상기 제1실리콘산화막이 노출될때까지 평탄화식각하여 상기 셀영역의 콘택영역에 콘택플러그를 형성하는 동시에 상기 게이트전극 사이를 층간절연막으로 매립하여 평탄화시켜 후속공정을 용이하게 실시할 수 있도록 함으로써 반도체소자의 고집적화를 가능하게 하는 기술이다.</p> |
