| 摘要 |
<p>본 발명은 플래쉬 메모리 소자, 그 제조 방법 및 소거 방법에 관한 것으로, 반도체 기판상의 선택된 영역에 액티브 영역과 필드 영역을 분리하기 위한 소자 분리막과, 상기 소자 분리막과 수직으로 교차되도록 형성된 워드라인과, 상기 워드라인을 마스크로 불순물 이온 주입 공정에 의해 형성된 소오스 및 드레인 영역과, 상기 워드라인 사이의 상기 드레인 영역 상부에 형성된 드레인 라인과, 상기 소자 분리막에 의해 분리된 액티브 영역상에 상기 워드라인과 수직으로 교차되도록 형성된 소오스 라인을 포함하여 이루어진다. 본 발명에 의하면 소오스 라인이 워드라인과 수직으로 교차되도록 형성되므로 하나의 셀을 선택하여 소거할 수 있는 비트 소거가 가능하고, 선택된 비트만 소거하므로써 과소거를 방지할 수 있으며, 리커버리를 과소거된 비트에 대해서만 실시할 수 있어 리커버리 효율을 향상시킬 수 있는 등 소자의 특성을 개선할 수 있다.</p> |
