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<p>본 발명은 반도체소자의 정렬마크 형성방법에 관한 것으로, 콘택홀 형태를 갖는 반도체소자의 정렬마크 형성방법에 있어서, 제1절연막이 형성된 반도체기판 상부에 반사막을 형성하고 상기 반사막 상부에 제2절연막을 형성한 다음, 상기 제2절연막을 식각하여 상기 반사막을 노출시키는 콘택홀을 형성하는 공정으로 하측이 반사막으로 구비된 콘택홀 형태의 정렬마크를 형성함으로써 정렬 공정시 하측으로부터의 신호 반사를 강하게 하여 정렬도 측정을 용이하게 하는 기술이다.</p> |
