发明名称 FLASH MEMORY DEVCIE CAPABLE OF PREVENTING AN OVER-ERASE OF FLASH MEMORY CELLS AND AN ERASURE METHOD THEREOF
摘要 <p>본 발명에 따른 플래시 메모리 장치는 과소거를 방지할 수 있는 소거 알고리즘을 갖는 상태 머진으로서 사용되는 소거 제어 회로를 포함하며, 상기 소거 제어 회로는, 먼저, 감지된 데이터 비트들에 대응하는 플래시 메모리 셀들의 문턱 전압들이 소거된 상태에 상응하는 목표 문턱 전압 범위의 최대값보다 높은 소정의 프리 검증 전압에 도달하였는 지의 여부를 점검한다. 그 다음에, 셀들 중 적어도 하나의 문턱 전압이 상기 프리 검증 전압보다 높으면 상기 벌크 전압이 소정 전압만큼 단계적으로 증가되도록 상기 벌크 전압을 발생하는 고전압 발생 회로가 제어하며, 셀들의 문턱 전압들이 상기 프리 검증 전압에 도달할 때 상기 벌크 전압이 일정하게 유지되도록 상기 고전압 발생 회로가 제어된다. 이러한 벌크 전압 제어 스킴에 따르면, 소거 동작 동안 과소거되는 플래시 메모리 셀들의 수를 줄일 수 있고, 그 결과 총 소거 시간이 단축될 수 있다.</p>
申请公布号 KR100308192(B1) 申请公布日期 2001.11.01
申请号 KR19990030872 申请日期 1999.07.28
申请人 null, null 发明人 최기환
分类号 G11C16/02;G11C16/34 主分类号 G11C16/02
代理机构 代理人
主权项
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