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<p>본 발명은 반도체 보호장치 및 전력변환장치에 관한 것으로서, 반도체 스너버(P1)는 전력변환장치의 스위치로서 기능하는 주IGBT1의 50㎐∼2㎑의 턴 오프 시마다 생기는 서지전압을 설정값 이하로 억제하기 위해 사용되고, 반도체 스너버(P1)는 주IGBT1과 병렬인 바이패스를 형성하는 보호용 IGBT10과, 주IGBT1의 콜렉터와 보호용 IGBT10의 게이트 사이에 역방향으로 접속된 제너 다이오드(ZD11)를 갖고, 서지 전압이 제너 다이오드(ZD11)의 항복전압인 설정값을 초과할 때, 보호용 IGBT10이 턴 온하고, 서지전압의 에너지에 의한 전류를 바이패스시키는 것을 특징으로 한다.</p> |
