| 摘要 |
<p>본 발명은, 커패시터의 전하저장전극 형성방법에 관한 것으로서, 특히, 도핑된 폴리실리콘층으로 전하저장전극을 형성한 후 오존(O)을 사용한 산화막을 형성한 후, 플라즈마 분위기에서 NH반응가스를 사용하여 SiON막을 형성하도록 하고, 그 위에 표면화학반응으로 TaON박막을 적층하므로서 유전특성을 확보하여 정전용량을 증대시키도록 하는 장점을 갖는다. 또한, 경제적인 측면에서, TaON박막은 불안전한 화학적양론비를 갖는 탄탈륨산화막(TaO)보다 구조적으로 안정한 Ta-O-N 결합구조를 갖고 있기 때문에 기존의 탄탈륨산화막을 이용하는 기술에서 사용하는 이중, 삼중의 저온 열처리공정이 필요없어 공정을 단순화하여 원가를 저감하도록 하는 장점을 지닌 발명에 관한 것이다.</p> |
