| 摘要 |
<p>본 발명은 부동 몸체 효과(Floating Body Effect)를 방지하기 위한 더블 게이트 전극 구조를 갖는 에스오아이 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 더블 게이트 구조를 갖는 에스오아이 소자는, 베이스층; 상기 베이스층 상에 배치되며, 영역 별로 상이한 두께를 갖는 매몰산화막; 상기 베이스층과 매몰산화막의 경계면에 형성된 하부 게이트; 상대적으로 얇은 매몰산화막 부분과 이에 인접된 매몰산화막 부분 상에 형성된 반도체층; 상기 반도체층의 중심부 상에 게이트 산화막의 개재하에 형성된 상부 게이트; 상기 상부 게이트 양측의 반도체층 부분에 형성된 소오스 및 드레인 영역; 상기 상부 게이트와 소오스 및 드레인 영역을 포함하여 매몰산화막 상에 형성된 층간절연막; 및 상기 하부 게이트와 소오스 영역 및 드레인 영역과 각각 독립적으로 콘택되어, 상기 층간절연막 상에 배치되는 전극들을 포함하여 이루어진다.</p> |
