| 摘要 |
<p>본 발명은 감지 증폭기의 랫치 마진을 확대시킬 수 있는 랫치형 감지 증폭기 회로를 제공한다. 반도체 기억 장치에서 메모리셀이 발생시키는 미소 전위차를 플립플롭(1)에서 전원 전압-접지 간 레벨까지 증폭시키는 랫치형 감지 증폭기에 있어서, 플립플롭(1)이 출력시키는 한 쌍의 상보적 신호를 수신하는 다음단 버퍼(3)가 2개의 논리 회로로 구성되어 있고, 2개의 논리 회로는 함께 NOR 회로를 구성하고 있고, 2개의 NOR 회로 각각에서 직렬로 접속되는 적어도 2개의 P채널 트랜지스터 중 캐리어 공급원 즉 전원 전압에 근접한 트랜지스터 Q11을 2개의 NORE 회로에서 공통으로 하였다. 플립플롭의 상보 관계에 있는 한 쌍의 노드 SAT 및 노드 SAB에 접속되는, 다음단 버퍼(3) 내의 트랜지스터 Q12 및 Q15에서 발생하는 게이트-소스 간의 오버랩 용량의 차를 없애 감지 증폭기의 랫치 마진을 확대할 수 있다.</p> |
