| 摘要 |
<p>1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야 본 발명은 반도체 소자의 소자분리막 형성 방법에 관한 것으로, 특히 실리콘의 선택적 에피성장(SEG;Selective Epi Growth)에 의한 소자 분리막 형성방법에 관한 것이다. 2. 발명이 이루고자하는 기술적 과제 반도체 소자의 건식식각 공정시 노출된 실리콘기판에서 발생되는 실리콘 오염물질(contamination)로 인해 실리콘 에피 성장이 안되어 소자 분리 특성이 저하되는 문제점을 해결하고자 한다. 3. 발명의 해결 방법의 요지 실리콘 기판이 플라즈마에 노출되지 않도록 실리콘 기판 상부에 식각선택비가 서로 다른 절연막들을 형성한 후 건식 및 습식식각공정을 순차적으로 수행하고, 그 후 실리콘 에피성장층을 형성하므로 실리콘 기판의 물리적 손상 및 오염물질을 최소화 할 수 있는 반도체 소자의 소자 분리막 형성방법이 개시된다.</p> |
