| 摘要 |
<p>본 발명은 단일 전자 터널링(single electron tunneling) 현상을 응용하여 휘발성 단일 전자 트랜지스터 메모리 및 그 구동 방법을 기재한다. 본 발명에 따른 휘발성 단일 전자 트랜지스터 메모리는 단일전자 트랜지스터를 액세스 트랜지스터로 이용하는 동시에 캐패시터에 20개 미만의 전자를 저장하여 정보(디지탈 0 혹은 1)를 저장하거나 읽을 수 있다는데 특징이 있다. 즉, 단일전자 트랜지스터를 이용하여 전자 하나 하나를 제어하고 이렇게 제어된 20개 미만의 전자를 드레인 쪽에 위치한 캐패시터(capacitor)에 저장한다.</p> |
