| 摘要 |
<p>최적의 반사율을 갖는 금속 표면은 다음공정단계를 단독으로 또는 결합으로 이용하여 제조될수 있다. 1) SOG 평탄화후에 금속위에 놓이는 유전층의 CMP; 2) 바이어스의 형성후에 금속위에 놓이는 유전층의 CMP; 3) 위에 놓이는 유전체상에 평행의 티타늄으로 구성된 금속점착층을 형성하는 단계; 4) 작은 그레인 사이즈를 유지하는데 알맞은 낮은 온도로서 점착층 위에 금속을 디포지트하는 단계; 5) 금속을 에칭하기 앞서 새로이 디포지트된 금속의 상부에 강화하여 코팅된 반사율의 적어도 제1층을 디포지트하는 단계; 및 6) 금속내의 힐록(hillock)형성을 억제하기위해 금속전극층의 형성 온도에 가능한한 가까운 온도에서 강화하여 코팅된 반사율의 초기층을 디포지트하는 단계. REC의 디포지션은 두가지 다른 목적으로 사용한다. 첫 번째로, REC는 디포시션 직후에 새로이 디포지트된 금속층을 코팅하여 고 반사율 상태에서 금속을 보존한다. 둘째로, REC는 금속층에 의해 반사된 빛의 구조적인 간섭을 초래한다. 이러한 구조적인 간섭은 노출형 금속 표면의 반사율보다 더 큰 반사율을 발생할 수 있다.</p> |
