| 摘要 |
<p>본 발명은 다결정 실리콘 박막 형성 방법에 관한 것으로서, 게이트 절연막이 형성된 반도체 기판을 CVD 반응로에 배치하는 공정과, 감압된 상기 반응로내에 시레인(SiH)가스를 흘러보내 상기 기판위에 1차 다결정실리콘을 증착한 후, 즉시 상기 감압된 반응로내를 질소가스로 백-필하여 상기 반응로의 압력을 대기압으로 하여 상기 1차 다결정실리콘상에 Si-N 결합을 형성하며, 이어서 감압된 상기 반응로내에 시레인(SiH)가스를 흘러보내 상기 1차 다결정실리콘상에 2차 다결정실리콘을 증착하는 공정을 구비한다. 따라서, 본 발명은 기존의 LPCVD 장치를 사용하여 반응로내를 대기압 상태의 비활성 가스 질소(N) 앰비언트(Ambient)로 하여 계면에서의 확산 배리어의 역할을 하는 강한 Si-N 결합(Bond)(68)을 형성하여 공정의 단순화 및 코스트 다운(Cost Down)등의 잇점이 있다.</p> |
