| 摘要 |
<p>본 발명은 반도체 메모리 장치의 로우 어드레스 회로 및 방법에 관한 것으로서, 특히 리프레쉬 카운트신호의 액티브구간 선단에 응답하여 리프레쉬 어드레스신호를 발생하기 위한 리프레쉬 어드레스 카운터와, 정상모드와 리프레쉬 모드에 응답하여 외부 어드레스신호와 상기 리프레쉬 어드레스신호를 선택적으로 입력하는 입력수단과, 정상모드에서는 로우 어드레스 셋업신호에 응답하고, 리프레쉬모드에서는 지연된 리프레쉬 카운트신호에 응답하여 상기 입력수단으로 입력된 로우 어드레스신호를 입력하여 프리디코딩하는 프리 디코더와, 정상모드에서는 로우 어드레스 셋업신호에 응답하고, 리프레쉬모드에서는 리프레쉬 카운트신호에 응답하여 인에이블신호를 생성하되, 상기 리프레쉬 카운트신호의 액티브구간 선단에 응답하여 제 1 소정시간 지연된 선단을 가지며 상기 리프레쉬 카운트신호의 액티브구간 종단 이전에 종단을 가지는 인에이블신호를 생성하는 신호 생성수단과, 인에이블신호의 액티브 구간에 응답하여 상기 프리디코딩된 로우 어드레스신호를 출력하기 위한 출력수단과, 인에이블신호의 종단에 응답하여 상기 프리디코더의 입력단을 프리차지하기 위한 프리차지수단을 포함한다. 따라서, 리프레쉬 카운트신호의 액티브구간 종단 이전에 프리디코더의 출력이 차단됨으로써 프리 디코딩된 출력의 변화를 방지할 수 있어서 무효한 어드레싱이 발생되는 것을 막을 수 있다.</p> |
